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松山湖材料实验室研究员梅增霞团队与山东理工大学张永晖等合作者ღ★,在非易失性光电存储领域取得新进展优发国际入口ღ★,开发出一种新型的存储技术优发国际入口ღ★。相关成果发表于《纳米快报》(
人机交互ღ★、人工智能和物联网等行业的快速发展对先进数据存储技术的需求日益增加金星jxd游戏下载ღ★。然而ღ★,目前大多数存储技术仍面临着数据保存时间短金星jxd游戏下载优发国际手机客户端ღ★,ღ★、转换速度慢或数据安全性能不足等问题ღ★。特别是对于深紫外光电存储和光电突触而言ღ★,其数据保存时间通常仅限于毫秒或小时量级优发娱乐官网入口app下载ღ★!ღ★,远不能满足实际应用中长达数年的数据存储需求ღ★。
该研究在国家自然科学基金等项目的资助下ღ★,开发出一种新型的存储技术ღ★,旨在通过抑制光生电子和空穴的快速复合ღ★,延长光电存储器的数据存储时间ღ★。具体来说金星jxd游戏下载优发国际入口ღ★,他们通过巧妙利用β-Ga2O3/SiO2TFT结构中的边界陷阱优发国际入口ღ★,有效实现了光生空穴的束缚及其和光生电子的空间分离优发国际入口优发国际登录首页ღ★,ღ★。这种空间分离能够让电子和空穴在体系的不同层材料中稳定存在优发国际游戏官方网站优发国际ღ★,能源危机ღ★,ღ★,从而延长了它们的寿命金星jxd游戏下载ღ★,因而大幅提高了数据存储时间金星jxd游戏下载ღ★。
该研究成果展示了非易失性存储器的长时间数据存储能力(≥10年)优发娱乐官网app下载优发ღ★,ღ★,ღ★,同时具备快速的写入(≤20ms)和擦除速度(≤40ms)ღ★。此外优发国际入口ღ★,该存储器还具有很好的鲁棒性和稳定性ღ★,能够在不同的存储条件下保持优异的性能ღ★。
该研究成果不仅为构建高性能非易失性光电存储器件提供了一种全新的策略ღ★,还展示了如何巧妙地利用材料缺陷实现新的器件功能ღ★,为半导体器件的缺陷应用提供了新思路ღ★。